Состоялся анонс модуля оперативной памяти DDR5 от компании Samsung, объем которого составит 512 гигабайт. Для этого специалисты использовали технологию Samsung TSV (Through Silicon Via), позволяющую объединять сразу восемь микросхем с памятью. 
Также в модуле будет использована технология High-K Metal Gate (HKMG), благодаря которой производятся полупроводники с диэлектриками, проницаемость которых больше, чем у традиционно используемого диоксида кремния. С 2018 года HKMG применяли при производстве чипов GDDR6 для видеокарт.
И это еще не все преимущества нового модуля. Скорость передачи данных у него, согласно утверждениям производителя, достигнет 7200 Мбит/с — это в два раза больше, чем у памяти DDR4. В дополнение к этому модуль будет потреблять на 13 процентов меньше энергии.
Для кого создана эта оперативная память? В первую очередь, для дата-центров и суперкомпьютеров, которые работают с огромными массивами данных. Для обычных пользовательских, офисных и даже геймерских ПК подобный запас памяти будет избыточным и бессмысленным.
Первой платформой, которая станет поддерживать DDR5-модуль от Samsung, станет процессор Intel Alder Lake — 12 поколение, которое будет изготовлено на техпроцессе 10 нм и выйдет во второй половине 2021 года.
Несмотря на то, что пятое поколение оперативной памяти (DDR5) официально вышло в июле 2020 года (с двухлетним опозданием), о его поддержке никто не заботился. Ведь у четвертого поколения ОЗУ все еще достаточно пропускной способности для решения большинства задач обычных пользователей. Но продукт от Samsung — это первый шаг в прекрасное будущее. Возможно, через десять лет мы все будем использовать подобные модули в обычных ПК и удивляться, как это нам хватало 8-16 гигабайт оперативки в начале 2020-х.
